Kvantová metrologie odporu založená na grafénu
Quantum resistance metrology based on graphene (SIB51 GraphOhm)
Cílem projektu je rozšířit metrologii elektrického odporu na primární úrovni do všech metrologických institutů a do průmyslových oblastí, vyžadujících nejvyšší přesnosti měření. To bude umožněno vytvořením kvantového etalonu založeném na grafénu s unikátními vlastnostmi, který pracuje při vyšších teplotách a menších magnetických polích než dnešní etalony. Výsledkem projektu bude robustní, na ovládání jednoduchý a levnější přesný systém pro kalibrace elektrického odporu.
ČMI plánuje podílet se v projektu na vývoji cryo-coolerem chlazené aparatury, která mimo výše uvedených výhod umožní navíc snížit enormí výdaje institutů na helium, kterého je ve světě nedostatek.